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    半导体单晶硅材料的应用越来越重要,对其的品质要求越来越严格;然而在单晶生长过程中不可避免的存在缺陷与内应力,从而导致晶格发生畸变,降低晶格完整性,影响产品结晶质量。

    X射线衍射(XRD)技术已被广泛用于研究单晶材料的结构完整性以及微结构外延材料界面处的晶格完整性、晶向的偏离、样品组分等,它能够给出单晶材料中由位错、杂质、化学配比、残留应力等造成的晶格畸变程度的信息。

    目前主要的检测手段也即XRD,可以对整个晶片的晶格完整性情况进行扫描,从而可以了解晶体中缺陷的分布情况,掌握缺陷的产生规律,有助于改进和提高材料的质量。

 

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