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               多晶由于没有固定的晶向,具有晶界效应,测试多晶电阻率比测试单晶电阻率具有更复杂的工艺,用当前的常规四探针电阻率测试法去测试多晶硅块时,其测量出来的电阻率由于受到晶界效应的影响,往往无法放映其真实的电阻率值,当前能避开晶界效应影响的测试方法,只有使用无接触涡流测试法.           
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