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少子寿命全称叫非平衡少数载流子寿命,是半导体材料的一个基本参数,它的大小直接影响晶体管的性能。如:三极管的放大倍数β值,开关管的开关速度等。测定材料的少数载流子寿命方法有多种,这里介绍用光电导衰退法测量硅材料中少数载流子的寿命。

 

    半导体材料在一定的外界条件下(如光注入或电注入)所产生的比热平衡态时多出来的那部分电子空穴对称为非平衡载流子。在外界条件取消后,这种非平衡载流子即通过复合而消失,使材料的载流子数重新恢复到平衡态的数值,非平衡载流子能存在的平均时间称为寿命。少数载流子的寿命则表示非平衡少数载流子(如N型硅中注入的空穴)能存在的时间的平均值。

 

    用脉冲光照射半导体材料时,便产生光激发的非平衡载流子。光照停止后,非平衡载流子便由于复合而逐渐消失,样品的附加电导也相应衰退,在简单情况下非平衡载流子的浓度不太大(小注入),非平衡载流子的数目在半导体内部因素作用下,按指数规律随时间衰减,即:△P(或△n e-vz。

 

     时间常数t标志非平衡载流子的寿命值
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