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硅单晶电阻率标准片(以下简称标准样片)是用高纯多晶硅,经过单晶设备,再经中子嬗变掺杂等多种工艺制造的,具有一定几何尺寸的实物标准.由不确定度已知的标准装置,对该实物标准的电阻率及其他指标给予标定,使用时以标准样片为准,对相关参数进行量值传递。

 

合格指标      样片级别

 

项目

国家标准样片

一级标准样片

二级标准样片

    

40 75±1% mm

40 75±1% mm

25 100±2% mm

  

W1.0mm

W1.0mm

W1.0mm

标称值偏差

0.01Ω.cm 500Ω.cm

±5%

±10%

±15%

中心点电阻率重复率(2σ

0.3%

0.4%

0.8%

径向电阻率不均匀度

3%

4%

8%

 

 

合格指标      样片级别

 

国家标准样片

一级标准样片

二级标准样片

年稳定度

40 75±1% mm

40 75±1% mm

25 100±2% mm

扩展不确定度(包含因子 k=2)

±1.0%

±1.5%

±2.5%

备注:电阻率大于500Ω.cm和电阻率为0.005Ω.cm的电阻率标准样片标称值偏差为±15%,中心电阻率重复性为0.8%2σ,扩展不确定度为2.0%,二级标准样片,中心电阻率重复性为1.0%(2σ,扩展不确定度为3.0%

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